casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGB35N35LZ-1
codice articolo del costruttore | STGB35N35LZ-1 |
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Numero di parte futuro | FT-STGB35N35LZ-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerMESH™ |
STGB35N35LZ-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 345V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 4.5V, 15A |
Potenza - Max | 176W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Logic |
Carica del cancello | 49nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 1.1µs/26.5µs |
Condizione di test | 300V, 15A, 5V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGB35N35LZ-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGB35N35LZ-1-FT |
IRG4BC30W-STRL
Infineon Technologies
IRG4BC30W-STRLP
Infineon Technologies
IRG4BC30W-STRRP
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IRG4BC30WSTRR
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IRG4BC40W-STRRP
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IRG4BH20K-STRLP
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IRG6S320UTRLPBF
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M1A3PE1500-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
10M50DAF484C6GES
Intel
EPF10K100EFC256-3
Intel
5SGXMABN3F45I3N
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LCMXO640C-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31C7N
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10AX057K2F40I2SG
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EP2SGX130GF1508C4N
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