casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGB18N40LZ-1
codice articolo del costruttore | STGB18N40LZ-1 |
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Numero di parte futuro | FT-STGB18N40LZ-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerMESH™ |
STGB18N40LZ-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 420V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 4.5V, 10A |
Potenza - Max | 150W |
Cambiare energia | - |
Tipo di input | Logic |
Carica del cancello | 29nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 650ns/13.5µs |
Condizione di test | 300V, 10A, 5V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGB18N40LZ-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGB18N40LZ-1-FT |
IRG4BC30W-STRLP
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IRG6S320UTRRPBF
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XC2S50-6PQG208C
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XC6SLX45-2FGG484I
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A42MX16-3PQG208I
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XC7A200T-2SBG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281I
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5CEBA9F31C8N
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