casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STFI4N62K3
codice articolo del costruttore | STFI4N62K3 |
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Numero di parte futuro | FT-STFI4N62K3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH3™ |
STFI4N62K3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 620V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAKFP (TO-281) |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STFI4N62K3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STFI4N62K3-FT |
STF33N65M2
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ICE40UL640-SWG16ITR50
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Microsemi Corporation
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Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
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Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
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LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
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