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STMicroelectronics STFI11NM65N

Numero parte MFG
STFI11NM65N
quantità disponibile
31390 pezzi
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
MDmesh™ II MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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STFI11NM65N specificazioni

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Numero di parte futuro FT-STFI11NM65N
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie MDmesh™ II
STFI11NM65N Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 455 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (massimo) ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAKFP (TO-281)
Pacchetto / caso TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STFI11NM65N Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STFI11NM65N-FT

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