casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STF40N60M2
codice articolo del costruttore | STF40N60M2 |
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Numero di parte futuro | FT-STF40N60M2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ II Plus |
STF40N60M2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STF40N60M2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STF40N60M2-FT |
STW43NM50N
STMicroelectronics
STW43NM60N
STMicroelectronics
STW45NM50FD
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STW50NB20
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A3P060-1TQ144I
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EPF10K130EFI484-2
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5SGXEA4K1F35C2N
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ICE40UL1K-CM36AI
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10AX016E3F27I1HG
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