casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STF26N60DM6
codice articolo del costruttore | STF26N60DM6 |
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Numero di parte futuro | FT-STF26N60DM6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ DM6 |
STF26N60DM6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STF26N60DM6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STF26N60DM6-FT |
2SJ649-AZ
Renesas Electronics America
BSP75GQTC
Diodes Incorporated
DMG3414UQ-7
Diodes Incorporated
DMN10H220LQ-7
Diodes Incorporated
DMN2024UFDF-13
Diodes Incorporated
DMN2450UFB4-7B
Diodes Incorporated
DMN2990UFB-7B
Diodes Incorporated
DMN4030LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMN4036LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH4005SCT
Diodes Incorporated
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation