casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STF25N60M2-EP
codice articolo del costruttore | STF25N60M2-EP |
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Numero di parte futuro | FT-STF25N60M2-EP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M2-EP |
STF25N60M2-EP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 188 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STF25N60M2-EP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STF25N60M2-EP-FT |
STF120NF10
STMicroelectronics
STF10N105K5
STMicroelectronics
STF10NM50N
STMicroelectronics
STF6N65K3
STMicroelectronics
STF45N10F7
STMicroelectronics
STF5N52K3
STMicroelectronics
STF30N10F7
STMicroelectronics
STF45N65M5
STMicroelectronics
STF19NM50N
STMicroelectronics
STF10NM60N
STMicroelectronics
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel