casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STF20N60M2-EP
codice articolo del costruttore | STF20N60M2-EP |
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Numero di parte futuro | FT-STF20N60M2-EP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M2-EP |
STF20N60M2-EP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STF20N60M2-EP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STF20N60M2-EP-FT |
STP11NK50ZFP
STMicroelectronics
STF12N50M2
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
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EP20K100FI324-2XV
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