casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD5N60DM2
codice articolo del costruttore | STD5N60DM2 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-STD5N60DM2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ DM2 |
STD5N60DM2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 1.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 375pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD5N60DM2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD5N60DM2-FT |
STD140N6F7
STMicroelectronics
STD14NM50N
STMicroelectronics
STD14NM50NAG
STMicroelectronics
STD150N3LLH6
STMicroelectronics
STD150NH02LT4
STMicroelectronics
STD155N3H6
STMicroelectronics
STD15N60M2-EP
STMicroelectronics
STD15N65M5
STMicroelectronics
STD15P6F6AG
STMicroelectronics
STD16N60M2
STMicroelectronics
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel