casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD5407NT4G
codice articolo del costruttore | STD5407NT4G |
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Numero di parte futuro | FT-STD5407NT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STD5407NT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Ta), 38A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 32V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.9W (Ta), 75W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD5407NT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD5407NT4G-FT |
MTD2955VT4
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MTD5P06VT4
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XC3S50A-4TQ144I
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M1A3P250-2PQG208
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5SGXEBBR1H43C2LN
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5CGXFC9C6F23I7N
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