casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / STD5100TR
codice articolo del costruttore | STD5100TR |
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Numero di parte futuro | FT-STD5100TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STD5100TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 120µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD5100TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD5100TR-FT |
SCS212AJHRTLL
Rohm Semiconductor
SCS215AJHRTLL
Rohm Semiconductor
SCS220AJHRTLL
Rohm Semiconductor
SCS220AJTLL
Rohm Semiconductor
LXA04B600
Power Integrations
LXA06B600
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QH03BZ600
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QH05BZ600
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QH08BZ600
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QH12BZ600
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A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
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10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
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XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
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