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STMicroelectronics STD3NM60-1

Numero parte MFG
STD3NM60-1
quantità disponibile
62400 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
MDmesh™ MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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STD3NM60-1 specificazioni

codice articolo del costruttore STD3NM60-1
Numero di parte futuro FT-STD3NM60-1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie MDmesh™
STD3NM60-1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 324pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 42W (Tc)
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I-PAK
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD3NM60-1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STD3NM60-1-FT

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