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STMicroelectronics STD19N3LLH6AG

Name: STD19N3LLH6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD19N3LLH6AG
Price: 0.34272 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (137 reviews)

Numero parte MFG: STD19N3LLH6AG

quantità disponibile: 30120 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.34272

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ MOSFET N-CH 30V 10A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STD19N3LLH6AG.pdf

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STD19N3LLH6AG specificazioni

codice articolo del costruttore	STD19N3LLH6AG
Numero di parte futuro	FT-STD19N3LLH6AG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, STripFET™
STD19N3LLH6AG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	321pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	30W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD19N3LLH6AG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STD19N3LLH6AG-FT

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