casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD180N4F6
codice articolo del costruttore | STD180N4F6 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-STD180N4F6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ |
STD180N4F6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7735pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD180N4F6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD180N4F6-FT |
STD13N60M2
STMicroelectronics
STD15NF10T4
STMicroelectronics
STD1NK80ZT4
STMicroelectronics
STD6NK50ZT4
STMicroelectronics
STD11N60M2-EP
STMicroelectronics
STD15N50M2AG
STMicroelectronics
STD16NF06T4
STMicroelectronics
STD17NF25
STMicroelectronics
STD35NF3LLT4
STMicroelectronics
STD4NK80ZT4
STMicroelectronics
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel