casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STD180N4F6
codice articolo del costruttore | STD180N4F6 |
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Numero di parte futuro | FT-STD180N4F6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ |
STD180N4F6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7735pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD180N4F6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STD180N4F6-FT |
STD13N60M2
STMicroelectronics
STD15NF10T4
STMicroelectronics
STD1NK80ZT4
STMicroelectronics
STD6NK50ZT4
STMicroelectronics
STD11N60M2-EP
STMicroelectronics
STD15N50M2AG
STMicroelectronics
STD16NF06T4
STMicroelectronics
STD17NF25
STMicroelectronics
STD35NF3LLT4
STMicroelectronics
STD4NK80ZT4
STMicroelectronics
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel