casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / STBR3012W
codice articolo del costruttore | STBR3012W |
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Numero di parte futuro | FT-STBR3012W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STBR3012W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 30A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-247-2 (Straight Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-247 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STBR3012W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STBR3012W-FT |
STTH512D
STMicroelectronics
STTH30RQ06DY
STMicroelectronics
STTH15RQ06D
STMicroelectronics
STPS1545DY
STMicroelectronics
STPS20SM60D
STMicroelectronics
STPS20M60D
STMicroelectronics
STTH1210DY
STMicroelectronics
STTH8S06D
STMicroelectronics
STTH15L06D
STMicroelectronics
STPSC8065DY
STMicroelectronics
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel