casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / STB10150TR
codice articolo del costruttore | STB10150TR |
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Numero di parte futuro | FT-STB10150TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STB10150TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB10150TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STB10150TR-FT |
SB10150TA
SMC Diode Solutions
SB5100TA
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95SQ015
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1N5402TA
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90SQ045TA
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SB3150TA
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SBL5100TA
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SB2060TA
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XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel