casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / SST26VF016BT-104V/SM
codice articolo del costruttore | SST26VF016BT-104V/SM |
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Numero di parte futuro | FT-SST26VF016BT-104V/SM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SST26 SQI® |
SST26VF016BT-104V/SM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH |
Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 1.5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SST26VF016BT-104V/SM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SST26VF016BT-104V/SM-FT |
GD25VQ20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ80CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
IS62WVS0648FBLL-20NLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel