casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / SST25VF040B-50-4I-S2AE
codice articolo del costruttore | SST25VF040B-50-4I-S2AE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SST25VF040B-50-4I-S2AE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SST25 |
SST25VF040B-50-4I-S2AE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | 50MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10µs |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SST25VF040B-50-4I-S2AE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SST25VF040B-50-4I-S2AE-FT |
GD25LQ64CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel