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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N36FE,LM
- Numero parte MFG
- SSM6N36FE,LM
- quantità disponibile
- 56700 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.064
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- - MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- SSM6N36FE,LM.pdf
SSM6N36FE,LM specificazioni
| codice articolo del costruttore | SSM6N36FE,LM |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-SSM6N36FE,LM |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| SSM6N36FE,LM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 630 mOhm @ 200mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.23nC @ 4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 10V |
| Potenza - Max | 150mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ES6 (1.6x1.6) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SSM6N36FE,LM Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | SSM6N36FE,LM-FT |
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