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Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H12TU(TE85L,F)

Name: SSM5H12TU(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM5H12TU(TE85L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (681 reviews)

Numero parte MFG: SSM5H12TU(TE85L,F)

quantità disponibile: 96010 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSIII MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SSM5H12TU(TE85L,F).pdf

SSM5H12TU(TE85L,F) specificazioni

codice articolo del costruttore	SSM5H12TU(TE85L,F)
Numero di parte futuro	FT-SSM5H12TU(TE85L,F)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIII
SSM5H12TU(TE85L,F) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	133 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.9nC @ 4V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	123pF @ 15V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	UFV
Pacchetto / caso	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM5H12TU(TE85L,F) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SSM5H12TU(TE85L,F)-FT

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