casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SSM3K2615TU,LF
codice articolo del costruttore | SSM3K2615TU,LF |
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Numero di parte futuro | FT-SSM3K2615TU,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | π-MOSV |
SSM3K2615TU,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 3.3V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | UFM |
Pacchetto / caso | 3-SMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM3K2615TU,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSM3K2615TU,LF-FT |
TPN2R304PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH5900CNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR9003NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1R204PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH3R203NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH4R008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR6503PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR9203PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN1R603PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN4R712MD,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel