casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SSM3K2615TU,LF
codice articolo del costruttore | SSM3K2615TU,LF |
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Numero di parte futuro | FT-SSM3K2615TU,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | π-MOSV |
SSM3K2615TU,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 3.3V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | UFM |
Pacchetto / caso | 3-SMD, Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM3K2615TU,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSM3K2615TU,LF-FT |
TPN2R304PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH5900CNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR9003NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH1R204PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH3R203NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH4R008NH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR6503PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR9203PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN1R603PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN4R712MD,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation