casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SSM3J332R,LF
codice articolo del costruttore | SSM3J332R,LF |
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Numero di parte futuro | FT-SSM3J332R,LF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVI |
SSM3J332R,LF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23F |
Pacchetto / caso | SOT-23-3 Flat Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM3J332R,LF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSM3J332R,LF-FT |
SQP90142E_GE3
Vishay Siliconix
SQP120N06-06_GE3
Vishay Siliconix
SQP120N06-6M7_GE3
Vishay Siliconix
SUP90330E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP22N60EL-GE3
Vishay Siliconix
SIHP18N60E-GE3
Vishay Siliconix
SQP100P06-9M3L_GE3
Vishay Siliconix
SQP10250E_GE3
Vishay Siliconix
SQP120N06-3M5L_GE3
Vishay Siliconix
SQP120N10-09_GE3
Vishay Siliconix
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel