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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T(TE85L,F)

Name: SSM3J307T(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J307T(TE85L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (687 reviews)

Numero parte MFG: SSM3J307T(TE85L,F)

quantità disponibile: 51340 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSV MOSFET P-CH 20V 5A TSM

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SSM3J307T(TE85L,F).pdf

SSM3J307T(TE85L,F) specificazioni

codice articolo del costruttore	SSM3J307T(TE85L,F)
Numero di parte futuro	FT-SSM3J307T(TE85L,F)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSV
SSM3J307T(TE85L,F) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1170pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TSM
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3J307T(TE85L,F) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SSM3J307T(TE85L,F)-FT

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