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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J306T(TE85L,F)

Name: SSM3J306T(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J306T(TE85L,F)
Availability: InStock
Rating: 4.5 (239 reviews)

Numero parte MFG: SSM3J306T(TE85L,F)

quantità disponibile: 88650 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SSM3J306T(TE85L,F).pdf

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SSM3J306T(TE85L,F) specificazioni

codice articolo del costruttore	SSM3J306T(TE85L,F)
Numero di parte futuro	FT-SSM3J306T(TE85L,F)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
SSM3J306T(TE85L,F) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TSM
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3J306T(TE85L,F) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SSM3J306T(TE85L,F)-FT

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