casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SSA23LHE3_A/I
codice articolo del costruttore | SSA23LHE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-SSA23LHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SSA23LHE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSA23LHE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSA23LHE3_A/I-FT |
RS1K-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1K-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1A-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1A-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel