codice articolo del costruttore | SSA210 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SSA210 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SSA210 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 8.02ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSA210 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SSA210-FT |
GC20MPS12-247
GeneSiC Semiconductor
GC50MPS06-247
GeneSiC Semiconductor
GB25MPS17-247
GeneSiC Semiconductor
GC50MPS12-247
GeneSiC Semiconductor
GB50MPS17-247
GeneSiC Semiconductor
GC15MPS12-247
GeneSiC Semiconductor
GC02MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC05MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC08MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
GC10MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel