casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS39 R7G
codice articolo del costruttore | SS39 R7G |
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Numero di parte futuro | FT-SS39 R7G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS39 R7G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS39 R7G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS39 R7G-FT |
HS5J M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5K M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS5M M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR305S M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR305S R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR310S M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR310S R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR315S M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR315S R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR320S M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel