casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS36HR7G
codice articolo del costruttore | SS36HR7G |
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Numero di parte futuro | FT-SS36HR7G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS36HR7G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS36HR7G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS36HR7G-FT |
ES2C R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2G R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3FB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3J V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH2D R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3A R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3A V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
HS3DB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel