casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS35-1HE3_B/I
codice articolo del costruttore | SS35-1HE3_B/I |
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Numero di parte futuro | FT-SS35-1HE3_B/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS35-1HE3_B/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS35-1HE3_B/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS35-1HE3_B/I-FT |
SIDC14D120E6X1SA4
Infineon Technologies
SIDC14D120F6X1SA3
Infineon Technologies
SIDC14D120H6X1SA1
Infineon Technologies
SIDC14D60C6
Infineon Technologies
SIDC14D60C6Y
Infineon Technologies
SIDC14D60E6X1SA1
Infineon Technologies
SIDC14D60E6YX1SA1
Infineon Technologies
SIDC14D60F6X1SA2
Infineon Technologies
SIDC161D170HX1SA2
Infineon Technologies
SIDC16D60SIC3
Infineon Technologies
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel