casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS310 R7G
codice articolo del costruttore | SS310 R7G |
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Numero di parte futuro | FT-SS310 R7G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS310 R7G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS310 R7G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS310 R7G-FT |
SK59C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS23 R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS310 V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS35 R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS35 V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2C R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES2G R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3FB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3J V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel