casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS2H9HE3_A/I
codice articolo del costruttore | SS2H9HE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-SS2H9HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
SS2H9HE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 90V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS2H9HE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS2H9HE3_A/I-FT |
DZ1070N28KHPSA1
Infineon Technologies
DZ1100N22KHPSA2
Infineon Technologies
DZ540N20KHPSA1
Infineon Technologies
DZ540N22KHPSA1
Infineon Technologies
DZ540N26KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N12KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N14KHPSA1
Infineon Technologies
DZ600N16KHPSA1
Infineon Technologies
ES1JF R2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GATELEAD1110008XPSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation