casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SS275TI12205
codice articolo del costruttore | SS275TI12205 |
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Numero di parte futuro | FT-SS275TI12205 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS275TI12205 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 5A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DE275 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS275TI12205 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS275TI12205-FT |
CPT400100D
Microsemi Corporation
CPT400100A
Microsemi Corporation
CPT400100
Microsemi Corporation
CPT30090
Microsemi Corporation
CPT30060
Microsemi Corporation
CPT30050
Microsemi Corporation
CPT30045
Microsemi Corporation
CPT30040
Microsemi Corporation
CPT20145
Microsemi Corporation
CPT30145
Microsemi Corporation
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel