casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS24-E3/51T
codice articolo del costruttore | SS24-E3/51T |
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Numero di parte futuro | FT-SS24-E3/51T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS24-E3/51T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS24-E3/51T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS24-E3/51T-FT |
ES2FHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2FHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2G-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2G-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2GHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2GHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES2GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel