casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS13HE3/5AT
codice articolo del costruttore | SS13HE3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-SS13HE3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS13HE3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS13HE3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS13HE3/5AT-FT |
SSB44-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ060N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ060NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ100N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ100NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division
15MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHE3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel