casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS12L M2G
codice articolo del costruttore | SS12L M2G |
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Numero di parte futuro | FT-SS12L M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS12L M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS12L M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS12L M2G-FT |
S1BLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel