casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS12L M2G
codice articolo del costruttore | SS12L M2G |
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Numero di parte futuro | FT-SS12L M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS12L M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS12L M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS12L M2G-FT |
S1BLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1BLHRUG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel