casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS12HE3_A/I
codice articolo del costruttore | SS12HE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-SS12HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS12HE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS12HE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS12HE3_A/I-FT |
SSB43L-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ060N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ060NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ100N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ100NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division
15MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel