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codice articolo del costruttore | SRP2010-2R2M |
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Numero di parte futuro | FT-SRP2010-2R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SRP2010 |
SRP2010-2R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.7A |
Corrente - Saturazione | 1.9A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRP2010-2R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SRP2010-2R2M-FT |
SRR0905-120M
Bourns Inc.
SRR0905-121K
Bourns Inc.
SRR0905-181K
Bourns Inc.
SRR0905-330Y
Bourns Inc.
SRR0905-391K
Bourns Inc.
SRR0905-560Y
Bourns Inc.
SRR0905-680Y
Bourns Inc.
SRR0905-820Y
Bourns Inc.
SRP7028A-R10M
Bourns Inc.
SRP7030-6R2FM
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel