casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SRAF860HC0G
codice articolo del costruttore | SRAF860HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SRAF860HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRAF860HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAF860HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SRAF860HC0G-FT |
SF1606GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1607GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1608GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2001GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2003GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel