casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SRAF850HC0G
codice articolo del costruttore | SRAF850HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SRAF850HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRAF850HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAF850HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SRAF850HC0G-FT |
SF1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1605GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1606GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1607GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1608GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2001GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF2002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel