casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SRAF820HC0G
codice articolo del costruttore | SRAF820HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SRAF820HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRAF820HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAF820HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SRAF820HC0G-FT |
SF1601GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1602GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1603GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1604GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1605GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1606GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel