casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SRAF1030HC0G
codice articolo del costruttore | SRAF1030HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-SRAF1030HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRAF1030HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAF1030HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SRAF1030HC0G-FT |
TST30U60C C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30L100CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST40L45CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST10H100CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST40L150CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1001GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150-3FGG676C
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
Xilinx Inc.
APA750-FG896
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation