casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SR002HA0G
codice articolo del costruttore | SR002HA0G |
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Numero di parte futuro | FT-SR002HA0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SR002HA0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR002HA0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SR002HA0G-FT |
BA157G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA157GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA157GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR101G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR101G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR101G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR102G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel