casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQS420EN-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQS420EN-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQS420EN-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SQS420EN-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 18W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQS420EN-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQS420EN-T1_GE3-FT |
IRFU224PBF
Vishay Siliconix
IRFUC20PBF
Vishay Siliconix
SIHU3N50D-GE3
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M2GL025T-1VFG256I
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