casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQP120N10-3M8_GE3
codice articolo del costruttore | SQP120N10-3M8_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQP120N10-3M8_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SQP120N10-3M8_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7230pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQP120N10-3M8_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQP120N10-3M8_GE3-FT |
SIHP5N50D-E3
Vishay Siliconix
SIHP8N50D-E3
Vishay Siliconix
IRFZ48PBF
Vishay Siliconix
IRF614PBF
Vishay Siliconix
IRF730BPBF
Vishay Siliconix
IRFBC30APBF
Vishay Siliconix
IRLZ14PBF
Vishay Siliconix
SIHP17N60D-E3
Vishay Siliconix
SIHP5N50D-GE3
Vishay Siliconix
IRFB18N50K
Vishay Siliconix
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel