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Vishay Siliconix SQM120N02-1M3L_GE3

Name: SQM120N02-1M3L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120N02-1M3L_GE3
Price: 1.32 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (618 reviews)

Numero parte MFG: SQM120N02-1M3L_GE3

quantità disponibile: 42250 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.32

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 120A TO263

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SQM120N02-1M3L_GE3.pdf

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SQM120N02-1M3L_GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SQM120N02-1M3L_GE3
Numero di parte futuro	FT-SQM120N02-1M3L_GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQM120N02-1M3L_GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	290nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	14500pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263 (D²Pak)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQM120N02-1M3L_GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SQM120N02-1M3L_GE3-FT

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