casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQM110P06-8M9L_GE3
codice articolo del costruttore | SQM110P06-8M9L_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQM110P06-8M9L_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQM110P06-8M9L_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7450pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQM110P06-8M9L_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQM110P06-8M9L_GE3-FT |
SIR168DP-T1-GE3
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SIR172DP-T1-GE3
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SIR330DP-T1-GE3
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SIR401DP-T1-GE3
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SIR403EDP-T1-GE3
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SIR406DP-T1-GE3
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SIR408DP-T1-GE3
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SIR412DP-T1-GE3
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SIR414DP-T1-GE3
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SIR416DP-T1-GE3
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