casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQJ960EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJ960EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJ960EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ960EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 5.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 735pF @ 25V |
Potenza - Max | 34W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ960EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJ960EP-T1_GE3-FT |
ALD114904SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1116PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1117PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1115PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110900APAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110900PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101APAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101BPAL
Advanced Linear Devices Inc.
XC2V1000-5FG256C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FGG484I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3
Intel
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132C
Lattice Semiconductor Corporation