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Vishay Siliconix SQD50N10-8M9L_GE3

Name: SQD50N10-8M9L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N10-8M9L_GE3
Price: 0.61776 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (223 reviews)

Numero parte MFG: SQD50N10-8M9L_GE3

quantità disponibile: 44220 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.61776

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CHAN 100V TO252

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SQD50N10-8M9L_GE3.pdf

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SQD50N10-8M9L_GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SQD50N10-8M9L_GE3
Numero di parte futuro	FT-SQD50N10-8M9L_GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQD50N10-8M9L_GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2950pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	136W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQD50N10-8M9L_GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SQD50N10-8M9L_GE3-FT

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