casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQD50N04-5M6_T4GE3
codice articolo del costruttore | SQD50N04-5M6_T4GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQD50N04-5M6_T4GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQD50N04-5M6_T4GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 71W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQD50N04-5M6_T4GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQD50N04-5M6_T4GE3-FT |
SISH110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH112DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH116DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH615ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH108DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH114ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH407DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH472DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH101DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH625DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel