casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQ3426EEV-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SQ3426EEV-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQ3426EEV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SQ3426EEV-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ3426EEV-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQ3426EEV-T1-GE3-FT |
SQ3418EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ3481EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3440DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3442BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3443BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3459BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3460BDV-T1-GE3
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SI3499DV-T1-GE3
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SI3443CDV-T1-E3
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SI3464DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel